NTE53
Silicon NPN Transistor
High Voltage, High Speed Switch
Description:
The NTE52 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high–speed
power switching in inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for
115V and 220V line–operated switch–mode appliations.
Applications:
D Switching Regulators
D PWM Inverters and Motor Controls
D Deflection Circuits
D Solenoid and Relay Drivers
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO(sus)
400V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEX(sus)
450V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEV
850V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EB
9V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous 15A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak (Note 1) 30A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
Continuous 10A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak (Note 1) 20A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
C
= +25°C), P
D
175W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25°C 1.0W/°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
C
= +100°C), P
D
100W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperatur Range, T
J
–65° to +200°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperatur Range, T
stg
–65° to +200°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
1.0°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Lead temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T
L
+275°C. . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.
